1. 교육기간 및 시간
1) 3개 클래스 ’25년 1월 6일 ~ 1월 23일, 3차수 (월~목, 9시~18시)
2) 신청자 ’25년 1월 4일 전체 이론 교육 (8시간, 9~18시)
2. 교육장소 : CRC건물 102호 클린룸
3. 교육인원 : 반도체융합전공 8개 학부 재학생 60명
(매주 각 조별 5명, 4개조, 3주간 진행)
세부내용
반도체특성화대학사업단에서는 반도체융합전공 참여 학부 학생들의 취업역량 강화와
반도체 공정 이해를 위해 반도체 공정 기초 프로그램(이론+실습)을 다음과 같이 실시합니다.
1. 교육기간 및 시간
1) 3개 클래스 ’25년 1월 6일 ~ 1월 23일, 3차수 (월~목, 9시~18시)
2) 신청자 ’25년 1월 4일 전체 이론 교육 (8시간, 9~18시)
2. 교육장소 : CRC건물 102호 클린룸
3. 교육인원 : 반도체융합전공 8개 학부 재학생 60명
(매주 각 조별 5명, 4개조, 3주간 진행)
4. 교육편성
1) 반도체 단위공정 : 산화막공정(퍼니스,CVD),
박막증착공정(Sputter, Thermal, E-Beam, PECVD, MOCVD),
특성평가(Photoluminescence, I-V, C-V), 포토공정(단차측정, 노광, 스핀코팅)
2) 이론교육 및 조별 실습
3) 교육 수강생 중 80%이상 출석 시 수료증 발급
5. 선발기준
1) 반도체융합전공 8개 학부 2~3학년 대상
2) 취득학점 15점 이상, 평점 3.5 이상
3) 기초과목 선수강 3과목 이상
(기초수학, 일반물리, 일반물리실험, 일반화학, 일반화학실험, 공업수학, 미적분학)
4) 반도체융합전공 참여자 우선선발
6. 유의사항
1) 모집기간 내 취소 가능
2) 각 차수별 30명 모집 후 최종 20명 선발 (최종 선발자 개별 안내, 신청자가 많으면 조기 마감)
3) 1~3차 선발 인원은 ’15.1.4 토 전체 이론 교육 필참
4) 최종선발 학생 중 무단불참자, 출석률 80% 미만 수료생은 취업처 홈페이지 프로그램 및 상담 6개월 신청 제한 대상자로 설정
5) 최종 선발 후 다른 차수별 학생끼리 차수 변경 불가
6) 기초 공정교육 수료자는 중급 공정교육 신청 가능 (2.3~2.20)
※ 프로그램 문의: 053-810-4832~34 (반도체특성화대학사업단)
프로그램 후기
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